晶體振蕩器的基本原理及特性
晶振一般采用電容三端式(考畢茲) 交流等效振蕩電路;實際的晶振交流等效電路其中 Cv 是用來調(diào)節(jié)振蕩頻率,一般用變?nèi)荻O管加上不同的反偏電壓來實現(xiàn),工業(yè)自動化振蕩器廠家,這也是壓控作用的機理;把晶體的等效電路代替晶體后。其中 Co,C1,L1,RR 是晶體的等效電路。采用泛音次數(shù)越高的晶振,其等效電容 C1 就越?。灰虼祟l率的變化范圍也就越小。
晶體振蕩器實際應(yīng)用
晶體振蕩器實際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如,高強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞,振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應(yīng)的擾動會產(chǎn)生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用,EMI是另一個要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù),重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說,具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。我公司備有大量現(xiàn)貨,有需要的客戶,振蕩器廠家,歡迎前來選擇!
溫補晶振介紹
溫補晶振輸出方式分:削峰正弦波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),通訊雷達振蕩器廠家,CMOS 方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃),LVDS 差分方波輸出(+/-1ppm@-40℃--+85℃)(0.8p 低抖動)。另外溫補晶振 32.768KHz 低功耗可達(0.79μA@1.8V,1.05μA@2.5V,1.25μA@3.0V,工業(yè)控制振蕩器廠家,1.37μA@3.3V,2.05μA@5V)。
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