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北京晶宇興科技有限公司
主營：晶體振蕩器,晶體諧振器,壓控振蕩器
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電壓控制振幅的振蕩器構(gòu)造
電壓控制振幅的振蕩器，其實就是兩個部分組成的，一個是一個標(biāo)準(zhǔn)的振蕩器，另一個是壓控放大器，其增益可以隨輸入電壓的變化而變化，理想的變化是可以讓它輸出從0到正無窮(可輸出大量)的范圍。
這樣的電路也就是一個AM電路(幅度調(diào)制電路)，也就是一般中波收音機上那種調(diào)制方式。
具體電路可以參考一些AM發(fā)射機的電路，壓控振蕩器原廠，比如早期的中短波對講機，都是這種電路。
利用壓控振蕩器來控制頻率
高頻壓控振蕩器的電壓控制頻率部份， 通常是用變?nèi)荻O管C 與電感 L，七專級壓控振蕩器廠家， 所接成的 LC 諧振電路。提高變?nèi)荻O管的逆向偏壓， 二極管內(nèi)的空泛區(qū)會加大， 兩導(dǎo)體面之距離一變長，壓控振蕩器， 電容就降低了， 此 LC 電路的諧振頻率， 就會被提高. 反之， 降低逆向偏壓時， 二極管內(nèi)的電容變大， 頻率就會降低.
而低頻壓控振蕩器則依照不同頻率而選擇不同的方法，例如以改變對電容的充電速率為手段來得到一個電壓控制的電流源。參見波型產(chǎn)生器。
鎖相環(huán)電路中壓控振蕩器的SET響應(yīng)研究
空間輻射環(huán)境中的鎖相環(huán)在SET作用下，將產(chǎn)生頻率或相位偏差，甚至導(dǎo)致振蕩中止，七專級壓控振蕩器報價，造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環(huán)中的關(guān)鍵電路，也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準(zhǔn)的器件模型，采用TCAD混合模擬的方法，針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環(huán)中的壓控振蕩器，研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應(yīng)的影響，通過分析失效機理，以指導(dǎo)抗輻照壓控振蕩器的設(shè)計。研究結(jié)果表明，當(dāng)器件工作在截止區(qū)時，入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數(shù)隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高，轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。
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第5年
