根據(jù)電解質的種類可分為氯化物熔鹽體系和氟化物-氧化物熔鹽體系電解法,上海1N金靶材,多用于制取以鑭為主的混合稀土金屬以及鑭、鐠、釹等單一稀土金屬。熔鹽電解法為連續(xù)性生產過程,產量較大,設備簡單,成本較低,但電解槽需用耐高溫氯化物或氟化物腐蝕的結構材料制造。
還原制得含稀土99%的稀土金屬經(jīng)真空精煉(包括真空蒸餾或升華)、電傳輸、區(qū)域熔煉、熔鹽電解精煉等方法處理除去非稀土雜質后,可獲得純度超過99.9%的稀土金屬產品。







各種類型的濺射薄膜材料在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來,哪家有金1N金靶材,濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導體集成電路制造過程中,1N金靶材廠,以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產業(yè)中,各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,有的已經(jīng)用于電腦及計算機的顯示器制造;在信息存儲產業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。

金屬靶材材質分為:
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。


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