




供應(yīng)200度存儲器
EEPROM與FRAM
與SRAM相比,DRAM似乎是毫無用處的,但位于微控制器內(nèi)部的DRAM控制器使DRAM的性能表現(xiàn)與SRAM一樣。DRAM控制器在數(shù)據(jù)消失之前周期性地刷新所存儲的數(shù)據(jù),所以存儲器的內(nèi)容可以根據(jù)需要保持長時間。
由于比特成本低,DRAM通常用作程序存儲器,所以有龐大存儲要求的應(yīng)用可以從DRAM獲益。它的缺點是速度慢,但計算機系統(tǒng)使用高速SRAM作為高速緩沖存儲器來彌補DRAM的速度缺陷。

150度存儲器介紹
把存儲器分為幾個層次主要基于下述原因:
合理解決速度與成本的矛盾,以得到較高的性能價格比。半導(dǎo)體存儲器速度快,但價格高,容量不宜做得很大,因此僅用作與CPU頻繁交流信息的內(nèi)存儲器。磁盤存儲器價格較便宜,可以把容量做得很大,經(jīng)銷150度存儲器品牌,但存取速度較慢,因此用作存取次數(shù)較少,且需存放大量程序、原始數(shù)據(jù)(許多程序和數(shù)據(jù)是暫時不參加運算的)和運行結(jié)果的外存儲器。計算機在執(zhí)行某項任務(wù)時,僅將與此有關(guān)的程序和原始數(shù)據(jù)從磁盤上調(diào)入容量較小的內(nèi)存,存儲器,通過CPU與內(nèi)存進行高速的數(shù)據(jù)處理,然后將結(jié)果通過內(nèi)存再寫入磁盤。這樣的配置價格適中,綜合存取速度則較快。

供應(yīng)210度存儲器
和傳統(tǒng)存儲相比,云存儲系統(tǒng)具有如下優(yōu)勢:優(yōu)異性能支持高并發(fā)、帶寬飽和利用。云存儲系統(tǒng)將控制流和數(shù)據(jù)流分離,數(shù)據(jù)訪問時多個存儲服務(wù)器同時對外提供服務(wù),實現(xiàn)高并發(fā)訪問。自動均衡負載,經(jīng)銷200度存儲器品牌,將不同客戶端的訪問負載均衡到不同的存儲服務(wù)器上。系統(tǒng)性能隨節(jié)點規(guī)模的增加呈線性增長。系統(tǒng)的規(guī)模越大,云存儲系統(tǒng)的優(yōu)勢越明顯, 沒有性能瓶頸。高度可靠針對小文件采用多個數(shù)據(jù)塊副本的方式實現(xiàn)冗余可靠,數(shù)據(jù)在不同的存儲節(jié)點上具有多個塊副本,任意節(jié)點發(fā)生故障,系統(tǒng)將自動復(fù)印數(shù)據(jù)塊副本到新的存儲節(jié)點上,數(shù)據(jù)不丟失,實現(xiàn)數(shù)據(jù)完整可靠。


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